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트렌치구조를가진반도체 소자의제조방법빛그에의한 반도체소자

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
트렌치구조를가진반도체 소자의제조방법빛그에의한 반도체소자
보유기관 및 연구자 : 김동현
  • 특허정보

    트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조 방법 및 그에 의한 반도체 소자 (No : 10-2013-0169387)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
트렌치 구조, 화합물 반도체, 항복전압 개선, 기생경로 분리
기술개요
기판과화합물반도체층의계면에서 측면식각에의해생성된트렌치구조를통해항복 전압을개선하는트렌치구조를가진반도체소자의제조방법및그에의한반도체소자
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

화합물반도체소자층과 Si계면의 기생경로(parasitix path)형성으로 인해항복 전압(Breakdown Voltage)에 제한이생김
⇒ 전력 소자의 특성 개선 및 응용범위 확대에 제한

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- 세계화합물반도체시장규모는2020년-2027년동안10.8%의연평균복합성장률(CAGR)로
성장할전망이며, 2020년483억달러에서2027년에는990억달러에달할것으로예측됨
- 전력 효율증대를 위해 화합물반도체를 활용한 전력 반도체 개발이시급한 상황이며, 국내
기업들도 이를 인지하고 있기에향후 화합물 산업생태계는 빠르게 성장할 것으로 예상됨
- Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체는 낮은설치가격, 높은에너지 효율과 신뢰성을 동시에 갖췄기때문에
이를 토대로제작된 집광형 태양광 발전기술은 향후 대규모 상업발전소를 중심으로 높은
성장이 예상됨
기술활용 분야
✓ 트랜지스터-평판MOSFET,FinFET,FET,다이오드등

태양 전지

기술활용 분야
✓ 태양전지-반도체층상층에태양전지물질(윈도우층,광변환층,전극등)을순차적으로적층

다이오드

기술활용 분야
✓ 센서 분야 - 광소자, 이미지 센서용 포토 디텍터 및 센서

전구

특장점
항복전압개선
트렌치구조형성을통해, 기생경로를 분리시킴으로화합물반도체소자의 항복전압개선
공정용이
Si공정에사용되는프런트공정에서 트렌치를형성→ 공정이용이함
역학적, 열적안정성개선
우수기술 Gyeonggi Technology Market