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선택적 영역 성장을 이용한 CMOS 소자의 제조 방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
선택적 영역 성장을 이용한 CMOS 소자의 제조 방법
보유기관 및 연구자 : 공민우
  • 특허정보

    선택적 영역 성장을 이용한 CMOS 소자의 제조 방법 (No : 10-2019-0172394)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
PMOS, NMOS, 선택적 영역 성장, 반절연, 격자상수, 밴드갭
기술개요
PMOS와 NMOS를 만들어 소자의 집적도를 높이고, 더 높은 이동도 또는 항복 필드를 가지기 위해 선택적 영역 성장을 이용한 CMOS 소자의 제조 방법
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

기존의CMOS는①실리콘(Si)를이용하여공정을진행하여전자이동도와정공이동도의 차이로인하여NMOS와PMOS간의성능차가발생하고, PMOS의성능이제한되고,
②실리콘자체의이동도및밴드갭의한계로인하여초고속동작이나초고전력동작이힘듬

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- CMOS 이미지센서 시장은 2020년 169억2000만달러로 평가됐으며, 2026년에는
279억9000만달러에 달하고 2021~2026년에 걸쳐 8.7%의 CAGR 성장률을 기록할
것으로 예상됨
- 스마트폰에 카메라가 통합되면서, 스마트폰 카메라와 CMOS 기술에서 최고 품질의
이미지를 생산하려는 수요가 기하급수적으로 증가
- OSD 보고서에 따르면 자동차 시스템은 CMOS 이미지 센서에서 가장 빠르게 성장하는
애플리케이션이 될 것임
기술활용 분야
✓ 컴퓨터 분야 - 정적 RAM, 마이크로 컨트롤러/프로세서, 디지털 회로 등
✓ 이미지 센서 - 스마트폰, 디지털 카메라, 의료 영상기기, 자동차 감시카메라 등

이미지 센서

기술활용 분야
✓ 반도체 분야 - 메모리, 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 자율주행차량 등

의료용 현미경

기술활용 분야
✓ 의학 분야 - 조직학/세포학/유전학/표면 등 을 관찰하는 현미경, 의료 영상기기 등

스마트폰

특장점
최적의CMOS 제작可
나노선채널이선택적으로성장되어 적용에따라최적의이동도와밴드갭을 갖는물질을이용함에따라최적의CMOS 제작가능
소자집적도향상
금속증착과유전층증착을반복하면서 꾸준히적층시킬수있기때문에, 수직으로소자가계속형성되어소자 집적도증가
우수기술 Gyeonggi Technology Market