질화물계반도체발광소자및 제조방법
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 분야 : 기타 개발상태 9
기술완성도
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TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
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TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
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TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
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TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
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TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
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TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
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TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
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TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
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TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- KEYWORD
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질화물 반도체, GaN, 박막층, 결정결함 감소, 고효율
- 기술개요
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p형질화물반도체상에MgxNy (0<x≤1, 0<y≤1)층을형성하여결정결함의성장을 차단하는질화물계반도체발광소자및제조방법
- 주요 기술내용
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• 종래기술의 문제점
질화갈륨계 질화물반도체발광소자는 사파이어 기판의격자상수및열팽창계수
불일치로여러가지 결정결함을 발생
⇒ 고품질의 GaN 박막층 성장이 어렵고, 소자의 특성 효율 및 수명 단축
• 본 기술의 해결방안
- 시장 및 기술동향
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- 세계의GaN(질화갈륨) 반도체디바이스시장규모는분석기간(2020-2027년)데16.7의연평균
복합성장률(CAGR)로 성장할전망이며, 2020년8억4,780만달러에서2027년에는25억달러에
달할것으로예측됨
- 질화물 반도체는 에너지 간격이넓게 조절될 수있고, 구조적인 안정성이매우 우수하여 고온,
고출력의 전자소자 구현이 가능함
- 차세대 전력반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 전력반도체가 스마트폰, 고속충전기, 5G,
이동통신(5세대), 자동차 분야를 중심으로 연평균 70%대 성장을 기록할 것이라 전망됨
- 기술활용 분야
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✓ 블루LED 분야 - 전광판, 휴대폰 단말기, 백라이트, 교통신호, 조명기구 등
✓ 전기소자 분야 - 스마트폰 고속 충전기, 엔진 발동기, AI 등고속 충전기
- 기술활용 분야
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✓ 자동차 분야 - 전기차 인버터(전류를 직류나 교류로 전환하는 장치), 자율주행장치
교통 신호등
- 기술활용 분야
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✓ 통신 분야 - 5G 이동통신, 데이터 통신, 항공∙우주, 해저 통신용 광원 등
전광판
- 특장점
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- 고농도의정공
- MgxNy (0<x≤1, 0<y≤1)층을 형성함으로써 고농도의 정공을 가지는 p형 질화물 반도체의 제조 可
- 표면텍스쳐링可
- MgxNy (0<x≤1, 0<y≤1)층이 표면 개질 역할을 하여 질화물 반도체의 표면을 평평하게 함