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습식식각을통한복합패턴이형성된 GaN계발광다이오드의제조방법 및이에의한복합패턴이형성된 GaN계발광다이오드

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

습식식각을통한복합패턴이형성된 GaN계발광다이오드의제조방법 및이에의한복합패턴이형성된 GaN계발광다이오드

보유기관 및 연구자 : 김창환

특허정보
습식 식각을 통한 복합패턴이 형성된 GaN계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의한 복합 패턴이 형성된 GaN계 발광 다이오드 (No : 10-2014-0178692)
거래조건 :

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 일반적인사진식각공정과한번의습식식각공정만으로두가지이상의패턴이복합된 복합패턴을제조하여우수한광추출효율을가지는습식식각을통한복합패턴이형성된 GaN계발광다이오드의제조방법및이에의한복합패턴이형성된GaN계발광다이오드

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

건식식각/습식 식각, 건식식각/건식식각, TiO2 요철형성후/습식식각등의방법을
이용하여복합패턴을 형성함으로서, LED의 광추출효율을 향상시키고자 함
⇒ 제조방법이 복잡하고 비경제적임

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 전세계LED 조명시장규모는2021년555억달러로평가됐으며2022년부터2030년까지
10.5%의연평균복합성장률(CAGR)로 확대될것으로전망됨
- 세계 질화갈륨(GaN) 디바이스 시장은 2020년211억8000만달러에서 2027년에는284억
40000만달러로 4.28%의연평균 복합성장률(CAGR)을 기록할 것으로 전망됨
- 태양전지, 포토다이오드, 레이저, LED, 광전자와 같은광반도체 소자 부문의 수요증가로 에서
질화물 반도체 소자의시장 점유율이 증가하고 있음

특장점