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모놀리식멀티채널전력반도체 소자및그제조방법

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최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
모놀리식멀티채널전력반도체 소자및그제조방법
보유기관 및 연구자 : 김종민
  • 특허정보

    모놀리식 멀티채널 전력반도체소자 및 그 제 조 방법 (No : 10-2014-0193672)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
2DEG, HEMT, off 상태, 모놀리식, 멀티채널, D-mode, E-mode
기술개요
단일기판상에형성된2개이상의고전자이동도트랜지스터(HEMT)가각기상이한모드의
별개채널로동작하는모놀리식멀티채널전력반도체소자및그제조방법
✓ 모놀리식 - 1개의 반도체 칩 위에 필요한 모든 전자회로 요소를 집적화 한 것
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

질화물계HEMT 소자는오프(off) 상태유지를위해게이트전극에음의전압을인가
⇒ 오프(off)상태에서 전류 및 전력 소모 발생
⇒ 소자의 고전압 및 고전류 동작 특성 저하

• 본 기술의 해결방안

주요 기술내용

<실시 예>

시장 및 기술동향
- 전세계GaN(질화갈륨) 반도체디바이스시장규모는분석기간(2020-2027년)에16.7%의연평균복합
성장률(CAGR)로성장할전망이며, 2020년8억4,780만달러에서2027년에는25억달러에달할것으로
예측됨
- 국내전력반도체(Power IC) 시장규모는세계시장의약5%정도점유하고있는것으로나타나,
2023년에는약13,177억원규모의시장으로성장할것으로에상됨
- HEMT는양자컴퓨터와차세대6G 무선통신등다양한분야에서응용할수있어그확장성이매우큰
기술이며양자컴퓨터의실용화를앞당길수있는기술로기대됨
기술활용 분야
✓ 컴퓨팅,통신,가전,자동차등중추적인전자애플리케이션에적용됨

전기 자동차

기술활용 분야
✓ 자동차분야–전기자동차(EV), 하이브리드카(HEV)부품

Apple 社 iPad 8

기술활용 분야
✓ 모바일 디바이스-스마트폰, 태플릿 PC, 스마트그리드, 사물인터넷(IoT) 등

LED 스트랩

특장점
2가지모드사용可
간이한공정에의해E-모드와, D-모드로 각기동작하는HEMT 구조체를단일기판 상에구현하는효과가있음
채널들간의간섭감소
- 상이한채널을형성하는HEMT 구조체들이층을달리하여형성되어 채널들간의간섭이거의없음
우수기술 Gyeonggi Technology Market