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Si(111)/(001) SOI 기판 또는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법 및 그에 의해 제조된 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모

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최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
Si(111)/(001) SOI 기판 또는 Si(001)/(111) SOI 기판 상에 GaN 및 GaAs 에피층의 연속 성장방법 및 그에 의해 제조된 Si(111)/(001) SOI 기판 상에 연속 형성된 GaN 및 GaAs 에피층을 이용한 반도체 발광 소자 모듈
보유기관 및 연구자 : 신찬수
  • 특허정보

    Si(111)/(001) SOI 기판또는Si(001)/(111) SOI 기판상에 GaN및GaAs 에피층의연속성장방법및그에의해제 조된Si(111)/(001) SOI 기판상에연속형성된GaN및 GaAs 에피층을이용한반도체발광소자모듈 (No : 10-2016-0184216)

  • 거래조건 :
상담신청 기술문의

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
LED, GaN, GaAs, 연속 성장, 실리콘층, 단일 웨이퍼
기술개요
GaN계와GaAs계재료의연속적인에피성장이가능한Si(111)/(001) SOI 기판또는Si(001)/ (111) SOI 기판상에GaN및GaAs 에피층의연속성장방법및그에의해제조된Si(111)/(001) SOI 기판상에연속형성된GaN및GaAs 에피층을이용한반도체발광소자모듈
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

3색 LED 도트 매트릭스를 구현하기 위해
선택된 기판 상에서 일일이 특정 색상을 발광하는 에피층을 성장
→ 공정이 번거롭고 공정 비용이 증가하는 문제점

• 본 기술의 해결방안
– 단일웨이퍼상에결정구조가다른GaN계와GaAs계재료의연속적인에피성장이가능하도록
실리콘층을제거또는노출

시장 및 기술동향
- Grand View Research Inc.의연구에따르면, 전세계LED 조명시장규모는2022년부터
2023년까지10.5%의CAGR로확장되어2023년에는1329억6천만달러에이를것으로전망됨
- 전 세계 반도체 시장은 2022년 4,830억 달러에서 2029년에는 8,931억 달러로 성장할
것으로 예상되며, 예측 기간동안 9.2%의 연평균 성장률(CAGR)을 기록할 것임
- LED의재료로서대표적으로는청색과녹색을발광하는GaN계, 적색을발광하는GaAs계등과같은IIIV족화합물반도체가알려져있는바, 상기재료는직접천이형의큰에너지밴드갭을가지고있어이를
이용한발광소자는평판디스플레이장치, 광통신, 바이오, 마이크로LED, 스마트워치, 스마트섬유,
HMD 등차세대디스플레이등의다양한분야에서응용
기술활용 분야
✓ 모듈 분야 - 웨어러블소자의디스플레이표시모듈또는스마트안경의디스플레이표시모듈

웨어러블 디바이스

기술활용 분야
✓ 통신 분야 - 사물인터넷(IoT), 클라우드, 5세대 이동통신(5G) 등

IoT

기술활용 분야
✓ LED 분야 - LED TV, 차량용 디스플레이 패널, 스마트폰 또는 태블릿 PC의 디스플레이

디스플레이

특장점
낮은기판의존성
다양한패터닝공정에의해반도체발광 소자의조합및배열형태를다양하게구현 → 광소자또는전자소자뿐만아니라, 다양한분야에활용
경제적효과개선
공정단계의획기적인감소→ 공정비용및 시간을점감
소자간품질의차이를최소화
공정재현성이우수→ 高품질화
우수기술 Gyeonggi Technology Market