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고품위질화물반도체성장방법 및이를이용한질화물반도체 발광소자의제조방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

고품위질화물반도체성장방법 및이를이용한질화물반도체 발광소자의제조방법

보유기관 및 연구자 : 박형호

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 나노로드직경을조절함으로써,화합물반도체성장시사파이어또는Si 또는유리기판과 화합물반도체층간에격자상수및열팽창계수차이를최소화하는고품위질화물반도체 성장방법및이를이용한질화물반도체발광소자의제조방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

질화물계반도체에서 사파이어 또는Si기판은 질화물계화합물과 격자상수불일치로
인해전위결함및휨이나 깨짐등과같은변형발생
⇒ 반도체의 품질 및 결정성 저하

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 전 세계 화합물 반도체 시장은 예측기간 중 6.3%의 CAGR로 확대되어 2020년 320억
달러에서 2025년에는 434억 달러 규모로 성장할 것으로 예측됨
- 세계의 LED 제조 장비 시장 규모는 2022-2026년 4억 5,507만 달러의 증가가 전망되며,
예측 기간 중 CAGR로 5.2%의 성장이 예측됨
-질화물 반도체는 에너지 간격이 넓게 조절될 수 있고 구조적인 안정성이 매우 우수하여,
고온, 고출력의 전자소자의 구현이 가능함

특장점

고품위질화물반도체성장可: 사파이어또는Si 또는유리기판과질화물 반도체의격자상수불일치로인한변형과 결함밀도가크게저하되어고품위질화물 반도체성장可