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질화물반도체발광소자및 그제조방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
질화물반도체발광소자및 그제조방법
보유기관 및 연구자 : 김종민
  • 특허정보

    질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 (No : 10-2015-0183086)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
질화물, 나노막대 구조, 발광소자, 광추출 효율, n형 전극
기술개요
금속기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의n형전극 형성이용이하고, 광추출효율을개선할수있는질화물반도체발광소자및그제조방법
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

-질화물반도체에서InGaN은 인듐(In)의 조성이증가⇒ 결정성저하심화
-질화물반도체나노막대의 성장시사파이어(sapphire) 기판사용
⇒ 사파이어 기판이 절연체이기 때문에 n형 전극 형성이 매우 어려움

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- 전세계LED 조명시장은2021년644억달러로평가되며, 2028년말1900억달러에이를것으로
예상되고, 예측기간동안14.26%의연평균복합성장률(CAGR)의 빠른성장를보일것임
- 질화물 반도체는 에너지 간격이넓게 조절될 수있고, 구조적인 안정성이매우 우수하여 고온,
고출력의 전자소자 구현이 가능함
- 우리나라는 LCD BLU 및 자동차 산업의강국으로 이 분야의 LED 진입이 가시화 되면서
지금까지의 성장률보다 더 큰폭으로의 시장 팽창이 전망됨
기술활용 분야
✓ 블루LED 분야 - 전광판, 휴대폰 단말기, 백라이트, 교통신호, 조명기구 등

자동차 백라이트

기술활용 분야
✓ 전기소자 분야 - 스마트폰 고속 충전기, 엔진 발동기, AI 등

교통 신호등

기술활용 분야
✓ 자동차 분야 - 자동차 실내등, 전조등(헤드라이트), 후미등(백라이트) 등

도로등

특장점
기판다양성
기판의존성없이다양한저가대구경 이종기판에나노막대구조물성장可
유연한금속층에도 적용可
광추출효율개선
발광소자에의한광방출시, 질화물 나노막대구조물하부의금속층에의한 반사로광추출효율개선可
우수기술 Gyeonggi Technology Market