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높은 동작전류를 보이는 나노선 TFET의 제조 방법 및 그 나노선 TFET

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

높은 동작전류를 보이는 나노선 TFET의 제조 방법 및 그 나노선 TFET

보유기관 및 연구자 : 공민우

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: TFET에서 터널링이 일어나는 지역을 비약적으로 늘려서 높은 동작 전류를 보이도록 하는 나노선 TFET의 제조 방법 및 그 나노선 TFET

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

기존의p-i-n 나노선TFET 구조는수직으로형성된p-i정션에서의밴드벤딩만을이용하여
터널링전류를얻음→ 단위면적당얻을수있는동작전류의양이한정됨

• 본 기술의 해결방안

- 수평 방향으로의 p-i 정션을 추가로 형성 → 동작전류 증가

시장 및 기술동향: - 터널 전계효과 트랜지스터(TFET) 시장은 예측 기간 동안 약 12%의 CAGR의 꾸준한
성장을 보일 것으로 예상됨
- 최근 자율주행차, 사물인터넷 등의 등장으로 많은 양의 데이터를 저전력, 고속으로
처리할 수 있는 비메모리 반도체의 기술 발달이 시급한 실정임
- TEFT는 현재 실용화 단계로 급속도로 접근 중이므로 소자/공정/설계의 모든 분야에서
융합연구가 이루어지고 있음

특장점