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도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
보유기관 및 연구자 : 장현철
  • 특허정보

    도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법 (No : 10-2018-0169561)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체, FinFET, 버퍼층, 도펀트, 부정합, 결정결함
기술개요
버퍼층 형성 물질에 도펀트 물질을 확산하여 버퍼층을 형성함으로써 격자 상수의 부정합과 결정 결함을 해소하는 도펀트 확산을 이용한 반도체 소자의 제조 방법
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

기판 상에 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체를 성장시키는데 있어,
① 기판과 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 간의 격자 상수의 부정합(lattice mismatch) 문제
② 계면(interface) 상에서의 관통전위(theading dislocation)로알려진 결정 결함의 문제

• 본 기술의 해결방안

- 기판과 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체의 사이에 버퍼층을 형성

시장 및 기술동향
- 전세계 반도체 시장은 2020년-2021년사이에 6.8%에서 25.6%로 증가하여 시장 규모가
5530억 달러에 이를 것으로 예상됨
- 전세계의 FinFET 기술 시장 규모는 예측기간 중 48.1%의 CAGR로 성장하고, 2027년까지
5,893억 9,000만 달러에 달할 것으로 예측됨
- 초고해상도 디스플레이를 구현하기 위한 차세대 디스플레이 소자로서 3-5(III-V)족 화합물
반도체를 활용한 마이크로 LED 소자가 핵심 소재 및 부품으로써 주목받고 있음
기술활용 분야
✓ 메모리 분야 - DRAM, SRAM, Mask ROM, EP ROM, EEP ROM, Flash Memory
✓ 센서 분야 - 지문센서, 이미지센서, 압력센서, 호기센서, MEMS 등

지문 센서

기술활용 분야
✓ 전자 응용 분야 - 트랜지스터, 다이오드, 및 집적 회로 등

SDRAM

기술활용 분야
✓ 의료 분야 - 초음파 영상, MRI(자기공명영상장치) 등

자기 공명 영상장치(MRI)

특장점
간단한공정
버퍼층형성물질을먼저증착한후도펀트 물질을확산
증착, 화학/기계적연마공정같이간단한 방법으로버퍼층형성이가능
원하는도펀트프로파일可
사용되는도펀트물질에따라(n형or p형)을 원하는영역별로선택적도핑가능
도펀트확산시간이나, 에칭깊이를자유롭게 설정가능
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