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채널층 보호를 위한 다중 나노쉬트의 제조방법 및 이를 이용한 게이트 올 어라운드 소자의 제조 방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

채널층 보호를 위한 다중 나노쉬트의 제조방법 및 이를 이용한 게이트 올 어라운드 소자의 제조 방법

보유기관 및 연구자 : 이상태

특허정보
채널층 보호를 위한 다중 나노쉬트의 제조방법 및 이를 이용한 게이트 올 어라운드 소자의 제조 방법 (No : 10-2020-0095460)
거래조건 :

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

시장 및 기술동향: - 전 세계 게이트 올 어라운드 FET 기술 시장 점유율은 2020년에 약 2,214만 달러였으나
2023년에는 약 4억 2,725만 달러에 이를 것이고 예측 기간동안 35.8% CAGR로 예상됨
- 게이트 올 어라운드(GAA)관련 특허는 매년 30% 가까이 증가세를 보이며 같은 기간
173건, 233건, 313건, 391건으로 증가
- 최근 삼성전자는 GAA기술을 적용한 3나노 파운드리 공정기반의 초도 양산을 시작 후
고성능 컴퓨팅용 시스템 반도체를 초도 생산한데 이어, 모바일 SoC등으로 확대 예정

특장점