Core Technology
생활에 과학을 더한 놀라운 기술 진화

유망기술

경기 지역 경제 활성화와 국가경제 발전에 기여하는
새로운경기, 공정한 세상 경기기술마켓

레이저리프트오프공정과 이중전사를이용한반도체 소자의제조방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
레이저리프트오프공정과 이중전사를이용한반도체 소자의제조방법
보유기관 및 연구자 : 이근우
  • 특허정보

    레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용 한 반도체 소자의 제조방법 (No : 10-2013-0161950)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
LLO, 이중 전사, 레이저, 발광 다이오드, 자동화, 대면적화
기술개요
레이저리프트오프공정과두차례에걸쳐반도체층을전사함으로써공정의자동화및 대면적화하는레이저리프트오프공정과이중전사를이용한반도체소자의제조방법
✓ 레이저 리프트 오프(LLO)공정 - 레이저 기술을 이용하여 탈착을 시키는 공정
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

크랙이생기지않기위해열을점진적으로 가하는기존레이저리프트오프공정은
표면이제2유연필름 상에결합되어 발광면이기판방향으로향하므로 하부기판에
의한광출력의 손실이발생하고, 제2 유연필름상에기형성된전극과정렬접합
과정에서결함발생가능성이 높음.

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- 2021년한국의LLO(Laser Lift-Off) 머신시장규모는3,829만달러, 중국은약1억5,450만달러로,
분석기간(2022-2028년)에4.66%의연평균복합성장률(CAGR)을 나타낼것으로예측됨
- 전세계의 LLO(Laser Lift-Off) 머신 시장 규모는2021년에2억7,483만달러규모에 이르고,
2028년에는3억693만달러의 재조명규모에 달할 것으로 예측됨
- 디스플레이 업계 관계자는 “레이저 장비에서 레이저 소스와 광학계가 차지하는비중은
절대적”이라고 평가함
기술활용 분야
✓ 조명시스템–백열등,형광등,수은등을대체할수있는조명시스템

Galaxy Z flip SAMSUNG 社

기술활용 분야
✓ 디스플레이–터치패널,LED,OLED,LCD,PDP,플렉서블디스플레이등

터치 스크린

기술활용 분야
✓ 반도체 분야-노트북, 태블릿 PC, 스마트폰 등

LED

특장점
반도체층에회로인쇄可
각반도체층을등축으로중첩하여성장시켜서 p-타입과n-타입으로도핑된층이수평형발광 다이오드를포함 → 다양한회로를함께제작可
각반도체층을등축으로중첩하여성장시켜서 p-타입과n-타입으로도핑된층이수평형발광 다이오드를포함
최초반도체층을성장시킬때와 마찬가지로외부에드러났던표면이다시 외부에드러나표면에처리가이미되어진 표면이다시드러나게됨
우수기술 Gyeonggi Technology Market