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실리콘기판상에결함이억제된 화합물반도체에피층의 성장방법

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

실리콘기판상에결함이억제된 화합물반도체에피층의 성장방법

보유기관 및 연구자 : 오세웅

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 탄성변형층의형성과열처리를반복실시하여계면에서나타나는결함들간의상호작용을 유도함으로써,실리콘기판과화합물반도체에피층간의결함을억제하는실리콘기판 상에결함이억제된화합물반도체에피층의성장방법

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

Ⅲ-Ⅴ화합물반도체의빠른전자이동도및직접천이형밴드갭을이용하기위하여기존의
Si기판위에Ⅲ-Ⅴ화합물반도체를집적화
⇒ Si 기판과Ⅲ-Ⅴ화합물반도체간의물질부정합성에의하여Ⅲ-Ⅴ화합물반도체물질
내에많은결함이발생

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향: - 세계의화합물반도체시장규모는분석기간(2020년-2027년)에10.8%의연평균복합
성장률(CAGR)로 성장할전망이며, 202년483억달러에서2027년에는990억달러에달할
것으로예측됨
- IBK투자증권은 “향후 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 전기차 시장과 RF시장 내
부가가치 확보를 위해 화합물 반도체 시장 진출은 필수적”이라고 분석함
- 친환경 자동차 분야에서 화합물전력 반도체 수요급증이 예상되면서 2029년50억달러를
돌파할 것으로 예상함

특장점

소자성능개선: 탄성변형층의조성을단계적으로변화시켜, 주요실리콘기판과주요활성층간격자상수 차이를단계적으로 감소시킴 →격자상수차이에따른결함최소화