III-V족 화합물 활용층 형성용 기판 및 III-V족 화합물 활용층 제조방법
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 분야 : 기타 개발상태 9
기술완성도
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TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
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TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
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TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
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TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
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TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
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TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
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TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
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TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
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TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- KEYWORD
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III-V족 화합물, 활용층, 기판, 내부결함, 대면적, 고품질
- 기술개요
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내부결함의 발생을억제시킨 고품질의 III-V족 화합물 활용층을 대면적으로 형성시키기 위한III-V족 화합물활용층 형성용 기판및III-V족 화합물 활용층제조방법
- 주요 기술내용
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• 종래기술의 문제점
종래의기술내지 연구 중 고품질의III-V족화합물층을 성장시키는기술로서,
① 열적 어닐링에의한 결정 품질 개선 기술은승온 및 하온의 공정시간이오래 걸림
② Gradded buffer layer 기술은III-V족화합물층이10μm이상이어야하므로재료소비多
③ 에피텍셜리프트 오프 방식은III-V족화합물크기가도너 웨이퍼기판 크기에 제한되어대면적화가어려움
• 본 기술의 해결방안
- 시장 및 기술동향
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- 세계화합물반도체시장규모는2020년-2027년동안10.8%의연평균복합성장률(CAGR)로
성장할전망이며, 2020년483억달러에서2027년에는990억달러에달할것으로예측됨
- 화합물 반도체 시장은 세계 시장에서 상당한 성장 폭을 가지고 있으며 세계 시장에 대한
기여는 향후 6년 이내에 상당한 성장을 기록할 것으로 전망됨
- Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체는 낮은설치가격, 높은에너지 효율과 신뢰성을 동시에 갖췄기때문에
이를 토대로제작된 집광형 태양광 발전기술은 향후 대규모 상업발전소를 중심으로 높은
성장이 예상됨
- 기술활용 분야
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✓ 트랜지스터-평판MOSFET,FinFET등
태양 전지
- 기술활용 분야
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✓ 태양전지-반도체층상층에태양전지물질(윈도우층,광변환층,전극등)을순차적으로적층
LED
- 기술활용 분야
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✓ 센서 분야 - 광소자, 이미지 센서용 포토 디텍터 및 센서
이미지 센서
- 특장점
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- 고품질소자획득
- III-V족화합물활용층은순수한III-V족화합물 상에서결정성장시킨III-V족화합물활용층에 대비하여개방전압이99% 이상의수준인 고품질의특성을가짐
- 기판재활용可
- III-V족화합물활용층형성용기판을 반복적으로 재활용 → III-V족화합물낭비를감축하여 자원을절약, 제조비용감축