[한국전기연구원] 고온 SiC IC 기술
페이지 정보
최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
기술완성도
-
TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
-
TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
-
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
-
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
-
TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
-
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
-
TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
-
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
-
TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- 기술개요
-
○ 본 기술은 전기적, 물리적 특성이 우수한 wide bandgap 반도체 소재인 탄화규소(SiC, Silicon Carbide)를 이용하여 고온(> 300 ℃), 고방사선(300krads)의 극한환경에서 동작이 가능한 집적회로를 설계 및 제작하기 위한 기술을 개발하는 것임
○ 본 기술은 친환경 전기자동차 및 산업용 모터 구동을 위한 인버터 시스템, 항공우주 분야 및 원자력 고온 reactor 용 sensor 시스템 등에 활용이 가능함