금속산화물반도체소자및 그제조방법
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 분야 : 기타 개발상태 9
기술완성도
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TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
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TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
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TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
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TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
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TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
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TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
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TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
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TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
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TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- KEYWORD
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HEMT, 금속 산화물, AlxGa1-xAs층, 게이트 산화막
- 기술개요
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반도체층(AlxGa1-xAs층)을선택적으로산화시켜게이트산화막을형성할수있는금속 산화물반도체소자및그제조방법
- 주요 기술내용
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• 종래기술의 문제점
금속산화물구조에게이트를 형성하는 금속산화물반도체형 HEMT의 경우,
고주파동작을위해게이트 길이를줄여야함
⇒ 게이트를 통하여 채널로 누설전류를 증가시키는 요인으로 작용
• 본 기술의 해결방안
- 시장 및 기술동향
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- 나노금속산화물시장규모는예측기간중6% 이상의CAGR로성장할것으로예측되고, 질화
갈륨RF 반도체소자시장은예측기간(2021-2027)동안30%의CAGR 로성장할것으로예상됨
- 무선인프라에대한모바일전화,라디오및텔레비젼방송,MRI 기계,레이더,우주 및위성
통신뿐만아니라, 군통신등에도RF GaN반도체장치에중요한역할을함
- 질화갈륨(GaN)을 수 있는 재료의 생산에 사용된 반도체는 전원 장치뿐만 아니라 RF
구성 요소 및 발광 다이오드(Led). GaN 은 전력 변환,RF 및 아날로그 응용 분야에서
실리콘 반도체의 변위 기술이 될 수있는 능력이 입증됨
- 기술활용 분야
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✓ 절연체 또는 유전체로서 다양한 전자 소자(반도체)에 활용 중
스마트폰
- 기술활용 분야
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✓ 플렉서블분야-플렉서블디스플레이,웨어러블디바이스등
바이오 센서
- 기술활용 분야
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✓ 센서분야-바이오센서,가스센서등
플렉서블 디스플레이
- 특장점
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- 계면오염문제해결
- 반도체층(AlxGa1-xAs층)을선택적으로 산화시켜게이트산화막을형성함으로써 반도체와산화물사이의계면오염문제를 해결함
- 공정비용감소및용이성확보
- 에피택셜박막증착장치를이용하여 원자층증착장치보다저가의산화장치로 구현可