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화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이

보유기관 및 연구자 : 강호관

특허정보
화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이 용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이 (No : 10-2021-0149581)
거래조건 :

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 도핑농도의제어가가능하고, p-n 접합의경계면이분명한화합물반도체나노로드의제조방법, 이를이용하여제조된화합물반도체나노로드및화합물반도체나노로드어레이

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

①나노로드 자체의 작은 크기로 인해 각 층의 도핑 농도 제어가 어려움
②불순물(dopant) 확산 현상에 의해 p-n 접합 경계 부위가 불분명해짐

• 본 기술의 해결방안

기존 선택 영역 성장(SAG) 또는 메탈파티클 촉매를 이용한 나노로드 성장 방식은,
– ①도핑이제어된n형반도체박막위에서② p형나노로드를성장시키고③보호층을성장시킨후
④식각공정을이용하여나노로드이외의부분을제거하여p-n 접합을구현함

시장 및 기술동향: - 전 세계 화합물 반도체 시장은 2020년 약 32억만 달러에서 2025년에는 약 43.4억만
달러로 성장할 것으로 예상되며, 예측 기간동안 6.3%의 연평균 성장률(CAGR)을
기록할 것으로 전망됨
- 화합물 반도체는 청색광 발광다이오드(LED), 태양전지, 화학 센서, 스마트폰과
노트북컴퓨터 충전기, RF 장비와 레이더산업 등 다양한 분야의 시장으로 진출해 있음
- 나노로드라고 부르는 긴 막대기 모양의 청색 LED를 발광 소자로 삼는 ‘퀀텀닷
나노로드 발광다이오드’(QNED) 기술이 국내 대기업을 중심으로 개발중임

기술활용 분야: ✓ 발광 다이오드(LED) - 스마트폰, 휴대용핸드 헬드(handheld)게임 장치, 스마트 워치등

발광 다이오드(LED)

특장점