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고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법 및 이를 이용한 센서

최고관리자　 0 Comments　 1 Views　 20-11-10 15:46　 기계

분야 : 기타 개발상태 9

고전자 이동도 트랜지스터 구조를 가지는 센서의 제조방법 및 이를 이용한 센서

보유기관 및 연구자 : 조주영

상담신청 기술문의

TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
TRL08
시작품 인증/
표준화
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
  - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가
- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
TRL05
시제품 제작/
성능평가
- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가
- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL03
연구실 규모의
성능 검증
- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립
- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL01
기초 이론/
실험
- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계

기술개요: 감지물질이형성가능한면적을증대시킴으로써, 센서감도를향상시킬수있는질화갈륨계 고전자이동도트랜지스터구조를가지는센서의제조방법및이를이용한센서

주요 기술내용: • 종래기술의 문제점

감지물질의 형성 영역이 전극 패턴에 의해 제한되기 때문에
감지물질의 면적을 증대시키는데 어려움 ⇒ 센서 감도 저하

• 본 기술의 해결방안

① 식각공정없이에어보이드구조를형성하여공정상에발생되는손상방지
② 소스전극및드레인전극이설치되지않은부분에감지물질층이형성
③ 노출된질소-면(N-face)에감지물질층을추가적으로형성함으로써센서의감도를높임

시장 및 기술동향: - 세계의 광전 센서 시장 규모는 2021년에 21억 9323만 달러, 2022년에는 24억 7549만
달러에 달할 것으로 추정되고, CAGR 13.12%로 성장하여 2027년에는 45억 9658만
달러에 달할 것으로 예측
- 얇은 두께의 박막 태양전지와 관련하여 LG 디스플레이, AUO 등의 세계 LCD
제조사들이 차세대 신규사업으로 박막 태양전지 사업에 잇따라 진출하고 있음
- 반도체 산업의 소형화로 인해 더 작고, 더 얇고, 더 가볍고, 또 용도에 따라서 휘어지는
부품이나 제품을 만들기 위한 시도가 계속해서 이루어지고 있음.

특장점