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질화물계 전력반도체 소자 및 그를 위한 제조 방법

페이지 정보

최고관리자  0 Comments  1 Views  20-11-10 15:46  기계

본문

분야 : 기타 개발상태 9
질화물계 전력반도체 소자 및 그를 위한 제조 방법
보유기관 및 연구자 : 송근만
  • 특허정보

    질화물계 전력반도체 소자 및 그를 위한 제조 방법 (No : 10-2014-0025965)

  • 거래조건 :

기술완성도

  • TRL09

    사업화

    • 본격적인 양산 및 사업화 단계
  • TRL08

    시작품 인증/
    표준화

    • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
      - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
  • TRL07

    Pilot 단계 시작품
    신뢰성 평가

    • 시작품의 신뢰성 평가
    • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
  • TRL06

    Pilot 단계 시작품
    성능 평가

    • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
    • 시작품 성능평가
  • TRL05

    시제품 제작/
    성능평가

    • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
    • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
  • TRL04

    연구실 규모의
    부품/시스템 성능평가

    • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
    • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
  • TRL03

    연구실 규모의
    성능 검증

    • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
    • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
    • 모델링/설계기술 확보
  • TRL02

    실용 목적의 아이디어/
    특허 등 개념 정립

    • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
  • TRL01

    기초 이론/
    실험

    • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
KEYWORD
질화물, 3차원 면, 막대, 전력반도체, 결함 감소
기술개요
결함을줄이기위하여, 3차원면또는막대형태로성장시킨 질화물계전력반도체구조및그를위한제조방법
주요 기술내용
• 종래기술의 문제점

실리콘기판위에GaN을 성장시키고, 그위에이종물질을성장시킬 때,
실리콘과GaN 사이에격자상수의차이발생
⇒ 격자상수 차이가 중첩되어 임계치에 도달하고, 결함이 발생

• 본 기술의 해결방안

시장 및 기술동향
- GaN계 전력반도체 시장은 2025년까지 매출 13억 2000만 달러에 달할 것으로 예상됨
- 전 세계 전력 반도체(소자, 파워IC, 모듈) 시장 규모는 2023년 약 530억 달러 규모로
성장할 것으로 전망됨
-모바일, 서버∙데이터센서 등 저젼력을 요구하는 산업이 증가하면서 관련 수요가
증가하는 가운데, GaN 반도체 제품이 나오면서 관련 시장도 과거에 비해 확대되고 있음
기술활용 분야
✓ 전기 자동차, 데이터 서버, 무선∙고속 충전과 같이 전력 효율성을 필요로 하는 분야

테슬라 社 Model 3 차량

기술활용 분야
✓ 반도체 분야 – 집적회로, MOSFET, IGBT, 고전압 IGBT 등

PCB 기판

기술활용 분야
✓ 자동차 분야 – 전기차(추진 모터 구동장치, 배터리 충전장치, 직류-직류 컨버터 등)

고속 충전기

특장점
결함이생기지않은소자제작可
한정된영역에이종반도체를기판위에 성장시킴으로써결함이생기지않은소자를 제작⇒ 결함감소로소자의특성 향상
대량제작可
기판위에유전체층을증착하고패터닝 함으로써, 다수의질화물계전력반도체구조를 한꺼번에제작이가능⇒ 집적도 향상 및 다른 소자와집적을통한 다양한 성능의 모듈 제작 가능
우수기술 Gyeonggi Technology Market