반도체 소자 및 그 제조 방법[Semiconductor device and method of fabricating the same]
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 기술 정보
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기술분야
반도체
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현재 권리자
삼성전자 주식회사
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Main IPC
H01L-027/146
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존속기간 만료예정일
2032-05-15
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출원번호
(출원일)10-2012-0051603
(2012-05-15)
(2012-05-15) -
등록번호
(등록일)10-2025718
(2019-09-20)
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기술분야
- 기술개발 목적
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- 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공함
- 인접하는 픽셀들 간의 혼선 현상이 감소된 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공함
- 빛의 양자 효율이 보다 우수해진 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방 법을 제공함
- 암전류가 보다 감소된 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공함
- 백점 결함이 보다 감소된 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제 공함
- 저농도 P 영역보다 두꺼운 고농도 P 영역을 포함하는 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체
소자 및 그 제조 방법을 제공함
- 기술의 효과
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- 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자는 픽셀들 간의 혼선 현상을 줄일 수 있는 이미지
센서를 제공할 수 있고, 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자는 빛의 양자 효율이 우 수한 이미지 센서를 제공할 수 있음
- 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자는 암전류를 감소시킬 수 있는 이미지 센서를 제
공할 수 있고, 후면 조사형 이미지 센서를 갖는 반도체 소자는 백점 결함을 감소시킬 수 있음
- 적용 산업분야
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*출처 : 삼성전자
반도체
- 시장규모 및 전망
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*출처 : WSTS(2020.12), IC Insights 및 수출입은행
반도체 시장은 2019년 2,269억 달러에서 연평균 7.6% 성장 하여 2025년 3,389억 달러의 규모로 전망됨