터널 전계 효과 트랜지스터 제조방법
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최고관리자 0 Comments 1 Views 20-11-10 15:46 기계본문
- 분야 : 기타 개발상태 9
기술완성도
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TRL09
사업화
- 본격적인 양산 및 사업화 단계
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TRL08
시작품 인증/
표준화- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
- 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
- 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
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TRL07
Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가- 시작품의 신뢰성 평가
- 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
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TRL06
Pilot 단계 시작품
성능 평가- 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
- 시작품 성능평가
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TRL05
시제품 제작/
성능평가- 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
- 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
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TRL04
연구실 규모의
부품/시스템 성능평가- 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
- 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
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TRL03
연구실 규모의
성능 검증- 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
- 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
- 모델링/설계기술 확보
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TRL02
실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립- 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
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TRL01
기초 이론/
실험- 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
- KEYWORD
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더미게이트, 유전체층, 오목구조, TFET, 구동전압
- 기술개요
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드레인과 소스를 정밀하게 형성하기 위해 더미 게이트로서 유전체층을 이용하여 터널 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법
- 주요 기술내용
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- 시장 및 기술동향
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- 터널 전계효과 트랜지스터(TFET) 시장은 예측 기간 동안 CAGR 약 12%의 꾸준한
성장세를 보일 것으로 예상됨
- 낮은 구동저압의 구현은 IoT용 초저전력 반도체 소자의 핵심적인 기술이며, 이를
극복하기 위해 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET) 연구가 활발히 이루어지고 있음
- TFET는 고분자 중합체 캡슐화 구조설계를 통해 안정성이 높고, 간단한 공정으로 설계
가능하며, 초고속 구동이 가능해 기존 트랜지스터를 완벽히 대체 가능한 소자가 될
것이라고 예상됨
- 기술활용 분야
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✓ 센서 분야 - 바이오 센서, 반도체 센서, 가스 센서, 광센서 등
웨어러블 전자기기
- 기술활용 분야
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✓ LED 분야 - 디스플레이, 자동차 전조등 및 조명 등
자동차 전조등
- 기술활용 분야
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✓ 웨어러블 전자기기 - 시간 유지 기능, 상태 모니터링, 스포츠 모니터링, 의료모니터링
바이오 센서
- 특장점
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- 낮은전압에도구동
- 하방이둥근오목구조에서게이트부분이 깔때기모양으로형성되어게이트하단에 전기장집중
- TEFT제작용이
- 각단자를순차적으로특정함으로써, 공정중세밀한제어가필요한부분이 최소화되어TEFT 제작용이